寬禁帶（一般指禁帶寬度>2.3eV）半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮；其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點新材料。

回顧歷史，20 世紀50 年代中期出現(xiàn)SiC 晶體生長的第1 個專利。2007 年美國Cree 公司成功制備直徑100 mm 的SiC 零微管襯底，而后推出二極管產(chǎn)品并在技術(shù)和應(yīng)用層面取得了長足進展。GaN 也是跨世紀期間方有較快發(fā)展，1993年GaN 外延藍光二極管研制成功，1996 年白光LED 誕生并迅速產(chǎn)業(yè)化；中村修二、赤崎勇、天野浩3 人因“發(fā)明高效GaN 基藍光發(fā)光二極管，帶來明亮而節(jié)能的白色光源的貢獻”，獲得2014 年度諾貝爾物理學(xué)獎。

近年來，SiC、GaN 射頻電路和電力電子器件顯現(xiàn)出重要的軍事應(yīng)用和良好的市場前景，發(fā)達國家紛紛將其列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持。2014 年初，美國宣布成立“下一代電力電子器件國家制造創(chuàng)新中心”，歐洲啟動了“LAST POWER”產(chǎn)學(xué)研項目，日本則設(shè)立了“下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟”。美國計劃在未來5 年內(nèi)，加速民用SiC、GaN 電力電子器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，預(yù)計節(jié)能效果大約相當于900 萬家庭用電總量。當前，中國發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體具有良好的機遇和合適的環(huán)境。從消費類電子設(shè)備、新型半導(dǎo)體照明、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、航空發(fā)動機、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、大數(shù)據(jù)中心，到導(dǎo)彈、衛(wèi)星及電子對抗系統(tǒng)，均對高性能SiC 和GaN 器件有著極大的期待和需求。因此無論從國防安全出發(fā)還是以經(jīng)濟發(fā)展的視角，寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展空間都很大，市場前景也很好。發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體材料需要關(guān)注以下幾點。

1）寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用具有學(xué)科交叉性強、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點，需要做好頂層設(shè)計，進行統(tǒng)籌安排。中國在SiC、GaN 半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、產(chǎn)業(yè)化方面布局基本合理恰當，各計劃之間注意了協(xié)同配合，相信在這次國際發(fā)展的浪潮中將會有令人鼓舞的進展。SiC、GaN 于發(fā)光領(lǐng)域的進展此處不再贅述，現(xiàn)當務(wù)之急是加速SiC、GaN 電力電子器件的研發(fā)，拓展在民用領(lǐng)域的應(yīng)用，搶占下一代功率電子產(chǎn)業(yè)的廣闊市場，推動新一代信息技術(shù)、新能源產(chǎn)業(yè)和中國制造2025 的快速發(fā)展。

2）寬禁帶半導(dǎo)體材料是機遇與挑戰(zhàn)并存的領(lǐng)域。當前，國內(nèi)SiC和GaN的研究與應(yīng)用仍存在諸多問題，如襯底材料的完整性、外延層及歐姆接觸的質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性、器件可靠性以及成本控制等；其產(chǎn)業(yè)化的難度比外界想象的還要大。發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體，一方面要依靠自主研發(fā)，實現(xiàn)技術(shù)突破，滿足國防軍工對HEMT、MMIC 等器件和電路的需求，并隨時將成熟技術(shù)通過軍民融合向民用領(lǐng)域轉(zhuǎn)移拓展。另一方面要充分發(fā)揮產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合的作用，開展以需求為導(dǎo)向，以市場為目標的研究與開發(fā)，做到克服瓶頸、解決難題、進入市場、用于實際。此外，加強寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)及應(yīng)用，急需引進和培養(yǎng)人才雙管齊下，遴選領(lǐng)軍人才、充實技術(shù)骨干、加快隊伍建設(shè)。

3）寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用研究和產(chǎn)業(yè)化是中國的短板。因此需要設(shè)計、工藝、材料、可靠性、成品率、性價比全面滿足各類應(yīng)用系統(tǒng)的要求；同時要注重設(shè)備儀器、檢驗標準、稅收政策、金融環(huán)境等全產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)環(huán)境的建設(shè)，強化多方配合與協(xié)同發(fā)展。尤其要支持企業(yè)牽頭的應(yīng)用研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作；SiC 和GaN 民用領(lǐng)域廣泛，會出現(xiàn)眾多中小型科技企業(yè)，政府應(yīng)出臺政策、予以鼓勵。

4）寬禁帶半導(dǎo)體是未來高科技發(fā)展的重要方向之一，新一代信息產(chǎn)品市場將是寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力。2015年，TriQuint 和RFMD 兩家公司合并成立Qorvo 公司的目的之一，就是為了爭奪未來5G 移動產(chǎn)品和下一代無線網(wǎng)絡(luò)和光網(wǎng)絡(luò)的市場。由先進的SiC 和GaN 半導(dǎo)體技術(shù)帶動的市場空間將是巨大的，其社會經(jīng)濟效益也會相當可觀。目前，國際民用電力電子器件產(chǎn)業(yè)化發(fā)展僅處于起步階段，尚未形成巨大的實際市場。如果集中力量協(xié)同創(chuàng)新，有可能在相關(guān)領(lǐng)域獲得比較優(yōu)勢進而占據(jù)領(lǐng)先地位。

5）SiC、GaN材料適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，能有效提高系統(tǒng)的效率，對發(fā)展“大智物移云”具有重要作用。SiC和GaN 器件不會取代硅集成電路。2000 年度諾貝爾物理學(xué)獎獲得者阿爾費羅夫即認為：“化合物半導(dǎo)體并非要取代硅，但它能做硅半導(dǎo)體做不到的事情”。未來，SiC、GaN 和硅將在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮各自的作用、占據(jù)各自的市場份額。即便是電力電子器件，寬禁帶半導(dǎo)體材料也不可能完全替代硅，緣于應(yīng)用和市場還會細分，同時也要權(quán)衡材料與器件的成本和性價比。因此，發(fā)展SiC、GaN 材料與器件應(yīng)避免熱炒概念、一哄而起、盲目投資、互挖人才、低水平重復(fù)建設(shè)。

最近，更寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鋁（AlN）、氧化鎵（Ga2O3）特別是金剛石的研發(fā)有了令人可喜的進展，國內(nèi)多個大學(xué)和研究單位均研制出較大尺寸的金剛石薄膜及體材料，并得到初步應(yīng)用的結(jié)果。展望未來，進一步加強寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，對軍事國防安全和戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展將具有舉足輕重的作用。相信我們有能力搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點，為實現(xiàn)世界科技強國的宏偉目標奠定堅實的基礎(chǔ)。