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    GaN半導(dǎo)體器件迎來紅利期?2027年市場規(guī)模將達(dá)408億!

    作者:handler人氣:1217發(fā)表時間:2020-10-20 18:06

    于摩爾定律即將走到極限,各家半導(dǎo)體業(yè)者正尋求第三代半導(dǎo)體開發(fā)。所謂第三代半導(dǎo)體系指材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)及硒化鋅等寬頻半導(dǎo)體為主,有別于第一代的硅(Si)、第二代的砷化鎵(GaAs)之半導(dǎo)體材料。

    根據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測,2027年,全球GaN半導(dǎo)體器件市場規(guī)模預(yù)計將達(dá)到58.5億美元(折合人民幣約408億元),從2020年到2027年,復(fù)合年增長率為19.8%。市場增長原因,因氮化鎵(GaN)技術(shù)進步及在各種半導(dǎo)體器件產(chǎn)品應(yīng)用呈現(xiàn)增長態(tài)勢,例如:5G無線通信設(shè)備的需求(主要在國防通信領(lǐng)域、E類,F(xiàn)類和C類功率放大器)推動需求的成長。

    在航空航天和國防技術(shù)公司方面,例如LHX.US、NOC.US、BAESY.US正在與政府機構(gòu)合作,將氮化鎵半導(dǎo)體用于軍事電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)和AESA雷達(dá)應(yīng)用。2012年2月,NOC.US公司設(shè)立了先進技術(shù)實驗室,以開發(fā)用于關(guān)鍵軍事項目的氮化鎵半導(dǎo)體。該公司與美國政府已投資超過3億美元,用于在軍事系統(tǒng)中開發(fā)和集成GaN半導(dǎo)體,以增強太空,飛機和地面防御通信系統(tǒng)的功能。

    一些公司動態(tài),如恩智浦(NXPI.US)宣布在美國建廠所要生產(chǎn)5G用芯片,材料也是氮化鎵;Transphorm公司(硅芯片上氮化鎵功率器件的初創(chuàng)公司)宣布已完成一筆3500萬美元的E輪融資。本輪融資由日本創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)公司(INCJ)和日本國際電子公司(NIEC)領(lǐng)導(dǎo)。

    還有,電動車輛的車載充電站和EV充電樁的供應(yīng)設(shè)備中對GaN半導(dǎo)體裝置的需求已經(jīng)增加。例如,在2019年10月,名古屋大學(xué)發(fā)布了一款完全使用氮化鎵半導(dǎo)體裝置的電動汽車All GaNVehicle。與目前使用SiC開發(fā)的電動汽車相比,該汽車的效率提高了20%。由于這些芯片在車載資通訊娛樂主機(IHU)和高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)等汽車應(yīng)用中的使用量不斷增加,因此預(yù)計8英寸芯片市場將受到高度關(guān)注。

    由于,對高效和高性能射頻零組件的需求不斷增長,以及中國、日本和韓國等國家的電動汽車產(chǎn)量激增,亞太地區(qū)有望成為GaN增長最快的地區(qū)市場。例如,中國『十四五規(guī)劃』投入10兆人民幣搶占第三代半導(dǎo)體自主。

    GaN半導(dǎo)體裝置零組件,包括:晶體管、二極管、整流器、電源IC及其他。

    目前,氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體裝置市場主要參與者:

    · Cree(CREE.US)

    · Efficient Power Conversion Corporation

    · 富士通有限公司

    · GaN Systems

    · 英飛凌科技股份公司

    · NexGen電力系統(tǒng)(NXE.US)

    · 恩智浦半導(dǎo)體

    · Qorvo, Inc.(QRVO.US)

    · 德州儀器公司(TXN.US)

    · 東芝公司

    從一些地區(qū)來看,日本也由政府集結(jié)上中下游產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展GaN,5年內(nèi)撥款90兆日圓資助研發(fā)氮化鎵在半導(dǎo)體方面應(yīng)用的大學(xué)、企業(yè),目標(biāo)2020年代后半全面量產(chǎn)。雖然,碳化硅發(fā)展比氮化鎵更成熟,但日本是全球第一個研發(fā)氮化鎵的國家,而且發(fā)展為成熟的材料自然有更多未來性,都可能是日本經(jīng)產(chǎn)省決定押寶氮化鎵的原因。物理學(xué)界曾有研究指出,若所有半導(dǎo)體都改用氮化鎵為材料,目前所有電子產(chǎn)品耗電能減少10至25%。

    中國計劃正在制訂的『十四五規(guī)劃』(2021-2025年期間)將納入第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,從教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獨立自主。但目前尚不知是否集中發(fā)展GaN半導(dǎo)體。

    歐盟也將上中下游產(chǎn)業(yè)聚集合作,搶攻第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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